OES(optical emission spectroscopy)는 플라즈마 공정 챔버내에 존재하는 이온과 radical로부터 발생하는 광원을 흡수스펙트럼으로 변환, 특정한 파장의 스펙트럼 강도(intensity)를 모니터링하여 해당 화학종의 변화를 관찰하는 분석기로 반도체/디스플레이 제조공정에서 EPD(공정종말점, End Point Detection)측정용으로 많이 사용하고 있습니다.

Optical emission spectroscopy(OES) is an analyzer that monitors the spectral intensity of a specific wavelength and observes changes in the corresponding chemical species. Currently, it is widely used for EPD (End Point Detection) measurement in semiconductor/display manufacturing process.

ioes는 기존의 EPD(End Point Detection)정보 외에도 CVD 공정챔버의 플라즈마에서 발생하는 특정성분의 파장 emission을 측정하여 wafer나 glass의 굴절률과 증착되는 막의 두께를 실시간으로 모니터링 합니다.

In addition to the existing EPD (End Point Detection) information, ioes monitors the refractive index of a wafer or glass and the thickness of a deposited film in real time by measuring the wavelength emission of a specific component generated from the plasma of the CVD process chamber.